本公司近期斥巨资储备大量Ramtron铁电存储器库存

• 快速写入
• 高耐久性
• 低功耗

任何非易失性存储器可以保留配置。可是，配置更改或电源失效情况随时可能发生，因此，更高写入耐性的F-RAM允许无任

何限制的变更记录。任何时间系统状态改变，都将写入新的状态。这样可以在电源关闭可用的时间很短或立即失效时状态被

写入存储器。

在嘈杂的环境下向EEPROM写数据是很困难的。在剧烈的噪音或功率波动情况下，EEPROM的写入时间过长会出现漏洞

（以毫秒衡量），在此期间写入可能被中断。错误的概率跟窗口的大小成正比。F-RAM的写入执行窗口少于200ns。

在非接触式存储器领域里，F-RAM提供一个理想的解决方案。低功耗访问在RFID系统中至关重要，因为，能源消耗是以距离

成指数下降的。想要以的能耗读写标签数据就必须保持标签有足够近的距离。通过对射频发射机和接收机改进写入距离，

降低运动的灵敏性（区域内的时间）以及降低射频（RF）功率需求，使需要写入的应用（i.e.借记卡，在生产工序中使用的标签）

获得优势。

在一个复杂的系统里，记录系统失效时的操作历史和系统状态是非常宝贵的。如果没有这些数据，能够准确的解决或执行需求

指令是很困难的。由于F-RAM具备高耐久性的特点，可以生成一个理想的系统日志。从计算机工作站到工业过程控制不同的系

统，都能从F-RAM中获益。