Ramtron推出新款的平行F-RAM内存

　　与nvSRAM相较，FM14C88的读写速度更快，工作电压更低。FM14C88的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装，具有高速存取、无延迟写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点，是取代BBSRAM (电池供电的SRAM)或非挥发性SRAM (nvSRAM)等内存的理想方案。

　　FM14C88是一款采用32K×8配置的标准平行非挥发性铁电随机存取内存(F-RAM)，读写作业与标准SRAM相似，能够在断电后保存资料，并提供超过635年(55℃)的资料保存能力，避免了BBSRAM (电池供电的SRAM)或非挥发性SRAM (nvSRAM)方案中电池、电容器的不可靠性、高成本和设计复杂性等问题。F-RAM具有写入速度快，几乎无限的读写次数(写入次数大约为1014次)等特点，使其成为RAID储存服务器及产业自动化等应用的理想选择。

　　FM14C88在系统内的工作方式与其它SRAM组件类似，可以当作标准SRAM的兼容替代组件。只需用芯片的使能接脚或改变地址，就可进行读写作业。由于F-RAM内存采用独特的铁电内存制程，具有非挥发性的特点，所以非常适合需要频繁或快速写入资料的非挥发性储存应用。FM14C88可在整个工业环境温度范围(-40℃至+85℃)内工作。